رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MUN5113DW1T1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MUN5113DW1T1-DG
وصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
7788 قطع جديدة أصلية في المخزون
12936241
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MUN5113DW1T1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhm
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhm
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
187mW
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
7,788
اسماء اخرى
ONSONSMUN5113DW1T1
2156-MUN5113DW1T1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HD1A3M(0)-T1-AZ
TRANSISTOR NPN SC62-3
PUMH13/ZL115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
PUMB2/L135
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR