رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MUN5115DW1T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
MUN5115DW1T1G-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
30 قطع جديدة أصلية في المخزون
12930429
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MUN5115DW1T1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
160 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
MUN5115
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ONSONSMUN5115DW1T1G
2156-MUN5115DW1T1G-OS
MUN5115DW1T1G-DG
MUN5115DW1T1GOSTR
MUN5115DW1T1GOSDKR
MUN5115DW1T1GOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN2911,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
RN2911,LF-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDA114TU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4294
DiGi رقم الجزء
DDA114TU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMA5610H0R
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5
UMA4NT1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70
SMUN5230DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
