MUN5336DW1T1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MUN5336DW1T1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

MUN5336DW1T1G-DG

وصف:

TRANS NPN/PNP BJT SC70-6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

المخزون:

5922 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839849
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

MUN5336DW1T1G المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
100kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
100kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
MUN5336

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
MUN5336DW1T1GOSCT
MUN5336DW1T1GOSDKR
MUN5336DW1T1G-DG
MUN5336DW1T1GOSTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NSBA114TDXV6T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563

onsemi

NSBC115EDXV6T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563

onsemi

SMUN5233DW1T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

onsemi

EMG2DXV5T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553