رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDC7001C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDC7001C-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 510mA, 340mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
المخزون:
1152 قطع جديدة أصلية في المخزون
12860551
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDC7001C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
510mA, 340mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 510mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
20pF @ 25V, 66pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
700mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
رقم المنتج الأساسي
NDC7001
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NDC7001CDKR
NDC7001CCT
NDC7001CTR
NDC7001CCT-NDR
NDC7001CTR-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
VQ2001P
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
FC6546010R
MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3
NTMFD4901NFT1G
MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
