رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDD02N40-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDD02N40-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 1.7A (Tc) 39W (Tc) Through Hole IPAK
المخزون:
12858577
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDD02N40-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
121 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NDD02
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NDD02N40-1G-DG
NDD02N40-1GOS
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RFD16N05SM9A
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
NTD4809N-1G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
NVMTS0D4N04CLTXG
MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
