رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDD03N50Z-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDD03N50Z-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 58W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12855742
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDD03N50Z-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
274 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
58W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NDD03
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NDD03N50Z-1G-DG
NDD03N50Z-1GOS
NDD03N50Z1G
2156-NDD03N50Z-1G-ON
ONSONSNDD03N50Z-1G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NP160N04TDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
NTMJS1D7N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
NTD4963N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK
