رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDS336P
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDS336P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12860454
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDS336P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.7V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
360 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
NDS336
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NDS336PDKR
NDS336PCT
NDS336PTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMG2301LK-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMG2301LK-13-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDN336P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
20283
DiGi رقم الجزء
FDN336P-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTR4101PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
88248
DiGi رقم الجزء
NTR4101PT1G-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTF3055-100T3LF
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
NTMFS4H013NFT1G
MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN
NTD4815NHT4G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
