رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDS352P
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDS352P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 850mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12857804
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDS352P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
850mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
125 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
NDS352
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NDS352PTR-NDR
NDS352PTR
NDS352PCT
NDS352PCT-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTR1P02LT3G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
19457
DiGi رقم الجزء
NTR1P02LT3G-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTR0202PLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
20463
DiGi رقم الجزء
NTR0202PLT1G-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDN352AP
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
12000
DiGi رقم الجزء
FDN352AP-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDD02N40T4G
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
NVMFS5C426NWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVMFS5A140PLZWFT3G
MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
