رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDS9956A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDS9956A-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 3.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12843204
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDS9956A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
320pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
NDS995
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NDS9956ADKR
NDS9956ATR
NDS9956ACT-NDR
NDS9956ATR-NDR
NDS9956ACT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFD5C478NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
NTLUD3A260PZTAG
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
AO4822_101
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
