رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDT2955
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDT2955-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 2.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
المخزون:
15870 قطع جديدة أصلية في المخزون
12842973
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDT2955 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
601 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
NDT295
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
NDT2955TR
NDT2955CT
NDT2955TR-NDR
NDT2955DKR
NDT2955CT-NDR
2832-NDT2955TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTJS3157NT2
MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
NTMFS4899NFT1G
MOSFET N-CH 30V 10.4A/75A 5DFN
NTP90N02G
MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
