رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NDUL09N150CG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NDUL09N150CG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 1500 V 9A (Ta) 3W (Ta), 78W (Tc) Through Hole TO-3PF-3
المخزون:
12842757
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NDUL09N150CG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2025 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF-3
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
NDUL09
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
ONSONSNDUL09N150CG
NDUL09N150CGOS
2156-NDUL09N150CG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTX8N150L
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
16
DiGi رقم الجزء
IXTX8N150L-DG
سعر الوحدة
29.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTH6N150
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
300
DiGi رقم الجزء
IXTH6N150-DG
سعر الوحدة
6.75
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTK8N150L
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
5
DiGi رقم الجزء
IXTK8N150L-DG
سعر الوحدة
30.13
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB042N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
NVMFS5C404NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
SI9435DY
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC