رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NJVBDX53C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NJVBDX53C-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 65 W Through Hole TO-220
المخزون:
12859596
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NJVBDX53C المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
8 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2V @ 12mA, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
750 @ 3A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
65 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220
رقم المنتج الأساسي
NJVBDX5
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
