NJVMJD112G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NJVMJD112G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NJVMJD112G-DG

وصف:

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

المخزون:

12840543
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NJVMJD112G المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
3V @ 40mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
20µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 2A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
1.75 W
التردد - الانتقال
25MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK
رقم المنتج الأساسي
NJVMJD112

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2832-NJVMJD112G

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

MJD117T4

TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK

panasonic

2SD1938FTL

TRANS NPN 20V 0.3A MINI3

onsemi

MJD2955TF

TRANS PNP 60V 10A DPAK

panasonic

2SD11990S

TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE