الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NJVMJD32T4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NJVMJD32T4G-DG
وصف:
TRANS PNP 40V 3A DPAK
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
المخزون:
1247 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849010
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NJVMJD32T4G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
40 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.2V @ 375mA, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
10 @ 3A, 4V
الطاقة - الحد الأقصى
1.56 W
التردد - الانتقال
3MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK
رقم المنتج الأساسي
NJVMJD32
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)
مخططات البيانات
NJVMJD32T4G
ورقة بيانات HTML
NJVMJD32T4G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NJVMJD32T4G-DG
488-NJVMJD32T4GCT
488-NJVMJD32T4GTR
488-NJVMJD32T4GDKR
2156-NJVMJD32T4G-OS
ONSONSNJVMJD32T4G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXT790AKTC
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
64812
DiGi رقم الجزء
ZXT790AKTC-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MJD32RLG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1800
DiGi رقم الجزء
MJD32RLG-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
MJD32T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
574
DiGi رقم الجزء
MJD32T4G-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMBT3906WT1
TRANS SS GP PNP 40V SOT323
MJ15001
TRANS NPN 140V 15A TO204
BC548C
BJT TO92 30V 100MA NPN 0.5W 150C
BCX5410E6327
TRANS NPN 45V 1A SOT89