رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSBA114TDXV6T1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSBA114TDXV6T1-DG
وصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
المخزون:
12843776
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSBA114TDXV6T1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
160 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-563
رقم المنتج الأساسي
NSBA114
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
2156-NSBA114TDXV6T1-ONTR-DG
2156-NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6TOSTR
ONSONSNSBA114TDXV6T1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
EMB4T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
EMB4T2R-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDA143TH-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2850
DiGi رقم الجزء
DDA143TH-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN2911FE(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3975
DiGi رقم الجزء
RN2911FE(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMA961010R
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
MUN5130DW1T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
NSVMUN531335DW1T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
