الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSBC114YDXV6T1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSBC114YDXV6T1-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12925407
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSBC114YDXV6T1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-563
رقم المنتج الأساسي
NSBC114
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
NSBC114YDXV6T1
ورقة بيانات HTML
NSBC114YDXV6T1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
NSBC114YDXV6TOSTR
NSBC114YDXV6T1OS-DG
2156-NSBC114YDXV6T1
ONSONSNSBC114YDXV6T1
2156-NSBC114YDXV6T1-ONTR-DG
NSBC114YDXV6T1OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN4982FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3035
DiGi رقم الجزء
RN4982FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN1902FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
22
DiGi رقم الجزء
RN1902FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMH11T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
27909
DiGi رقم الجزء
EMH11T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMH4T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
22408
DiGi رقم الجزء
EMH4T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDC114YH-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
5232
DiGi رقم الجزء
DDC114YH-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EMG2DXV5T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
UMA4NT1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70
NSBC124EPDXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
DMA561000R
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5