الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSBC143EF3T5G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSBC143EF3T5G-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12859271
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSBC143EF3T5G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
4.7 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
15 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
254 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-1123
حزمة جهاز المورد
SOT-1123
رقم المنتج الأساسي
NSBC143
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
MUN(2,5)232, MMUN2232L, DTC143Exx, NSBC143EF3
مخططات البيانات
NSBC143EF3T5G
ورقة بيانات HTML
NSBC143EF3T5G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
2832-NSBC143EF3T5GTR
2832-NSBC143EF3T5G-488
ONSONSNSBC143EF3T5G
2156-NSBC143EF3T5G-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DTC043EMT2L
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
15356
DiGi رقم الجزء
DTC043EMT2L-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTC143EMT2L
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
19876
DiGi رقم الجزء
DTC143EMT2L-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UNR211600L
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A MINI3
UNR921AG0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
NSVMMUN2232LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
UNR9218J0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3