رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSS12600CF8T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSS12600CF8T1G-DG
وصف:
TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 5 A 100MHz 830 mW Surface Mount ChipFET™
المخزون:
12844199
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSS12600CF8T1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
12 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
170mV @ 400mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
250 @ 1A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
830 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NSS126
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-NSS12600CF8T1G-ONTR-DG
ONSONSNSS12600CF8T1G
2156-NSS12600CF8T1G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TN2219A
TRANS NPN 40V 1A TO226-3
MMBT2222AHLT1G
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
MMBT2222ATT1G
TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
