رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NST857BMX2T5G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NST857BMX2T5G-DG
وصف:
TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 225 mW Surface Mount 3-X2DFN (1x0.6)
المخزون:
7800 قطع جديدة أصلية في المخزون
12975028
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NST857BMX2T5G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
45 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
220 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
225 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
0402 (1006 Metric)
حزمة جهاز المورد
3-X2DFN (1x0.6)
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
488-NST857BMX2T5GDKR
2832-NST857BMX2T5GTR
488-NST857BMX2T5GCT
488-NST857BMX2T5GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC857BWHE3-TP
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
2SA1973-5-TB-E
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
MMBT4403HE3-TP
TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
