رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB082N65S3F
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB082N65S3F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12856836
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB082N65S3F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
82mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3410 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
313W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB082
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
NTB082N65S3F-DG
2156-NTB082N65S3F-488
NTB082N65S3FOSTR
NTB082N65S3FOSDKR
NTB082N65S3FOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB45N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
301
DiGi رقم الجزء
STB45N65M5-DG
سعر الوحدة
4.20
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NVB082N65S3F
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVB082N65S3F-DG
سعر الوحدة
4.61
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4833NAT1G
MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
NTMFS4C05NT3G
MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
NTMFS4925NT3G
MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
