رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB13N10G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB13N10G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12843912
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB13N10G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
165mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
64.7W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB13
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
ONSONSNTB13N10G
2156-NTB13N10G-ON
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSP296NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
NVMFS4C01NWFT1G
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
FB180SA10
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
