NTB18N06LT4
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTB18N06LT4

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTB18N06LT4-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK

المخزون:

12844150
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTB18N06LT4 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 7.5A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB18

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
NTB18N06LT4OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STB16NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
STB16NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTD4854N-35G

MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK

onsemi

NTTFS6H850NLTAG

MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN

onsemi

NDPL180N10BG

MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOT10T60L

MOSFET N-CH 600V 10A TO220