رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB22N06LT4
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB22N06LT4-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 22A (Ta) 60W (Tj) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12848724
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB22N06LT4 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
690 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB22
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
ONSONSNTB22N06LT4
NTB22N06LT4OS
2156-NTB22N06LT4-ONTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUK9675-55A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5546
DiGi رقم الجزء
BUK9675-55A,118-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLZ34SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1946
DiGi رقم الجزء
IRLZ34SPBF-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK7675-55A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BUK7675-55A,118-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD4158P
MOSFET N-CH 30V 13A/46A TO252
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
FQB1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
