رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB23N03R
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB23N03R-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 23A (Ta) 37.5W (Tj) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12848338
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB23N03R المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.76 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
225 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
37.5W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB23
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-NTB23N03R-ON
ONSONSNTB23N03R
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON7264E
MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN
AO4494L
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FQD5N30TF
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
