رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB25P06
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB25P06-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12857357
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB25P06 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
82mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1680 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
120W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB25
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
ONSONSNTB25P06
2156-NTB25P06-ON
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTB25P06T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NTB25P06T4G-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IRF5210STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7933
DiGi رقم الجزء
IRF5210STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RSJ250P10TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1434
DiGi رقم الجزء
RSJ250P10TL-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTF3055-100T1G-IRH1
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
UPA2766T1A-E2-AY
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
NTMFS4C35NT3G
MOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
