الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB52N10T4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB52N10T4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 52A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12841344
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB52N10T4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
52A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3150 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 178W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB52
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NTB52N10
مخططات البيانات
NTB52N10T4G
ورقة بيانات HTML
NTB52N10T4G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
NTB52N10T4GOSTR
NTB52N10T4GOSDKR
NTB52N10T4GOSCT
NTB52N10T4GOS
NTB52N10T4GOS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
HUF75639S3ST
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
8245
DiGi رقم الجزء
HUF75639S3ST-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
HUF75645S3ST
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
25585
DiGi رقم الجزء
HUF75645S3ST-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDB047N10
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDB047N10-DG
سعر الوحدة
1.79
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN034-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4605
DiGi رقم الجزء
PSMN034-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTB6413ANT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
759
DiGi رقم الجزء
NTB6413ANT4G-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SFT1431-W
MOSFET N-CH 35V 11A IPAK/TP
NVD5863NLT4G
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
2SK122800L
MOSFET N-CH 50V 50MA MINI3-G1
NDPL070N10BG
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3