رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB5605T4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB5605T4G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12856631
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB5605T4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1190 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB56
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTB25P06T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NTB25P06T4G-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RSJ250P10TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1434
DiGi رقم الجزء
RSJ250P10TL-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTBV5605T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
NTBV5605T4G-DG
سعر الوحدة
1.42
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTLJS3A18PZTXG
MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
NTMFS4C800NT1G
MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL
NTB18N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
