الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB6410ANG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB6410ANG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 76A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12857081
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB6410ANG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
76A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB64
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NTB6410AN, NTP6410AN
مخططات البيانات
NTB6410ANG
ورقة بيانات HTML
NTB6410ANG-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
ONSONSNTB6410ANG
2156-NTB6410ANG-ON
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB80NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
775
DiGi رقم الجزء
STB80NF10T4-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN013-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
15205
DiGi رقم الجزء
PSMN013-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN9R5-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5520
DiGi رقم الجزء
PSMN9R5-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN016-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3321
DiGi رقم الجزء
PSMN016-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS4510TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2680
DiGi رقم الجزء
IRFS4510TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS5C426NLT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
IRF6691TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
NTD4858NAT4G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
NVTFWS008N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN