رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD23N03R-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD23N03R-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Through Hole IPAK
المخزون:
12858907
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD23N03R-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.76 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
225 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NTD23
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NTD23N03R-1GOS
ONSONSNTD23N03R-1G
2156-NTD23N03R-1G-ON
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD18NF03L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4803
DiGi رقم الجزء
STD18NF03L-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLR2703TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
24414
DiGi رقم الجزء
IRLR2703TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTTFS4945NTWG
MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
IRFBC40AS
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRF830AS
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
