رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD24N06-001
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD24N06-001-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 24A (Ta) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Through Hole I-PAK
المخزون:
12841556
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD24N06-001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
42mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NTD24
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
=NTD24N06=001
NTD24N06-001OS
=NTD24N06
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLR3105TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
19895
DiGi رقم الجزء
IRLR3105TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLR2705TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6960
DiGi رقم الجزء
IRLR2705TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD20NF06T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6960
DiGi رقم الجزء
STD20NF06T4-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTTFS4C05NTAG
MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
NTTFSC4823NTAG
MOSFET 30V 50A 8WDFN
SSR1N60BTM
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
