رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD24N06L-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD24N06L-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 24A (Ta) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Through Hole IPAK
المخزون:
12845167
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD24N06L-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1140 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NTD24
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2156-NTD24N06L-1G-ON
ONSONSNTD24N06L-1G
=NTD24N06L
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR4105TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7710
DiGi رقم الجزء
IRFR4105TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD20NF06T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6960
DiGi رقم الجزء
STD20NF06T4-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLR2905TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
13428
DiGi رقم الجزء
IRLR2905TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOT10N65
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
NVMFS5A160PLZT3G
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
AOTF474
MOSFET N-CH 75V 9A/47A TO220FL
