رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD40N03R-1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD40N03R-1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 7.8A (Ta), 32A (Tc) 1.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12855992
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD40N03R-1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.8A (Ta), 32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.78 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
584 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NTD40
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NTD40N03R-1GOS
ONSONSNTD40N03R-1G
2156-NTD40N03R-1G-ON
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPP08P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
NTMFS08N003C
MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
NTB35N15T4
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
