رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD4808N-35G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD4808N-35G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 63A (Tc) 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Through Hole I-Pak
المخزون:
12856415
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD4808N-35G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta), 63A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 11.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1538 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
NTD48
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2156-NTD4808N-35G-ON
ONSONSNTD4808N-35G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTB60N06T4G
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
NTMFS4937NCT1G
MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN
NVTFS6H854NWFTAG
MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN