NTD4809NA-35G

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTD4809NA-35G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTD4809NA-35G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12856596

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

NTD4809NA-35G المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

9.6A (Ta), 58A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 11.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1456 pF @ 12 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

I-PAK

العبوة / العلبة

TO-251-3 Stub Leads, IPak

رقم المنتج الأساسي

NTD48

معلومات إضافية

الباقة القياسية

75

اسماء اخرى

2156-NTD4809NA-35G-ON

ONSONSNTD4809NA-35G

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

SCH1436-TL-H

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6SCH

onsemi

NTMS5P02R2SG

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

onsemi

NTD20N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTP13N10G

MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB