رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD4970NT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD4970NT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12858354
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD4970NT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.5A (Ta), 36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
774 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD49
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-NTD4970NT4G-ONTR
ONSONSNTD4970NT4G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDD8876
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8387
DiGi رقم الجزء
FDD8876-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN3010LK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1639
DiGi رقم الجزء
DMN3010LK3-13-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDD8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13967
DiGi رقم الجزء
FDD8880-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4982NFT1G
MOSFET N-CH 30V 26.5A/207A 5DFN
NTD60N02R-35G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
SCH1331-S-TL-H
MOSFET P-CH 12V 3A SCH6