رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD5804NT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD5804NT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 69A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12860804
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD5804NT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
69A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2850 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
71W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD58
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NTD5804NT4GOSDKR
NTD5804NT4GOSTR
NTD5804NT4GOSCT
2156-NTD5804NT4G
ONSONSNTD5804NT4G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD50N04S410ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4918
DiGi رقم الجزء
IPD50N04S410ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTD5802NT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
14457
DiGi رقم الجزء
NTD5802NT4G-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD64N4F6AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1260
DiGi رقم الجزء
STD64N4F6AG-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4939NT1G
MOSFET N-CH 30V 9.3A/53A 5DFN
NTA4151PT1
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
HAT2143H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
