NTD5865NL-1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTD5865NL-1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTD5865NL-1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 46A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK

المخزون:

12857771
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTD5865NL-1G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
71W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NTD58

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
NTD5865NL-1G-DG
NTD5865NL-1GOS

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTMFD4C50NT1G

MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL

onsemi

NTTFS002N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN

onsemi

NTMFS4C03NT3G

MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN

renesas-electronics-america

RQJ0303PGDQA#H6

MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK