رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD60N02RT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD60N02RT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12842347
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD60N02RT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.5A (Ta), 32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1330 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NTD60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NTD60N02RT4GOSCT
=NTD60N02RT4GOSCT-DG
NTD60N02RT4GOS
NTD60N02RT4GOS-DG
NTD60N02RT4GOSTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTLGF3501NT2G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
BSP612PH6327XTSA1
SMALL SIGNAL+P-CH
