NTD6415AN-1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTD6415AN-1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTD6415AN-1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 23A (Tc) 83W (Tc) Through Hole IPAK

المخزون:

12855424
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTD6415AN-1G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
NTD64

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2156-NTD6415AN-1G-ON
NTD6415AN-1G-DG
NTD6415AN-1GOS
ONSONSNTD6415AN-1G

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
AOI4286
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
273
DiGi رقم الجزء
AOI4286-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NVMFS5833NWFT1G

MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN

onsemi

NTMFS23D9N06HLT1G

T8 60V LOW COSS

renesas-electronics-america

HAT2266HWS-E

MOSFET N-CH 60V 30A 5LFPAK

onsemi

NTD3055L170

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK