NTD6600N-1G

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTD6600N-1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTD6600N-1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

وصف تفصيلي:

N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12930536

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

NTD6600N-1G المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

100 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

12A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

146mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

20 nC @ 5 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

700 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

I-PAK

العبوة / العلبة

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

رقم المنتج الأساسي

NTD66

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

75

اسماء اخرى

2156-NTD6600N-1G-ON

ONSONSNTD6600N-1G

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F

onsemi

FDD5N50FTF_WS

MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

onsemi

NVMFS5C604NLWFT3G

MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN

onsemi

FDD5N50NZFTM

MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK