رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTF2955T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTF2955T1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
المخزون:
5249 قطع جديدة أصلية في المخزون
12857893
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTF2955T1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
492 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223 (TO-261)
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
NTF2955
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
NTF2955T1GOSCT
2156-NTF2955T1G-OS
ONSONSNTF2955T1G
NTF2955T1G-DG
NTF2955T1GOSDKR
NTF2955T1GOSTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDS352AP
MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
RJK2006DPE-00#J3
MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
NVJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
