رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHD4102PT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHD4102PT1G-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
المخزون:
12935286
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHD4102PT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
1.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NTHD4102
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTHD4102PT1GOSCT
NTHD4102PT1GOS-DG
NTHD4102PT1GOSDKR
NTHD4102PT1GOS
2832-NTHD4102PT1GTR
NTHD4102PT1GOSTR
=NTHD4102PT1GOSCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
