رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHD4508NT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHD4508NT1G-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 3A 1.13W Surface Mount ChipFET™
المخزون:
314 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938990
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHD4508NT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
180pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.13W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NTHD4508
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTHD4508NT1GOSCT
2156-NTHD4508NT1G-OS
NTHD4508NT1GOSTR
ONSONSNTHD4508NT1G
NTHD4508NT1GOSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFD5483NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
STL64DN4F7AG
MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
SQ4917EY-T1_BE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC