رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHD5905T1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHD5905T1-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 8V 3A 1.1W Surface Mount ChipFET™
المخزون:
12859142
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHD5905T1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
8V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
450mV @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NTHD59
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTHD5905T1OS
2156-NTHD5905T1-ONTR
ONSONSNTHD5905T1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTUD3128NT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.16A SOT963
FG6943010R
MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6
NVMFD5489NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN