رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHL030N120M3S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHL030N120M3S-DG
وصف:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
450 قطع جديدة أصلية في المخزون
13256028
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHL030N120M3S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
73A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 30A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.4V @ 15mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+22V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2430 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
313W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
488-NTHL030N120M3S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
APT20M16LFLLG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264