رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHL060N090SC1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHL060N090SC1-DG
وصف:
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 46A (Tc) 221W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
380 قطع جديدة أصلية في المخزون
13275964
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHL060N090SC1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
84mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.3V @ 5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
87 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
+19V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1770 pF @ 450 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
221W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
NTHL060
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
488-NTHL060N090SC1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVTFWS014P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
NVTFS014P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
NTBG020N090SC1
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK