رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTJS4160NT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTJS4160NT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
12840995
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTJS4160NT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.75 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
230 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
NTJS41
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
=NTJS4160NT1GOSCT-DG
NTJS4160NT1G-DG
ONSONSNTJS4160NT1G
NTJS4160NT1GOSTR
2156-NTJS4160NT1G-ONTR
NTJS4160NT1GOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTJS4405NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
NTJS4405NT1G-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVS4409NT1G
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
AUIRFS4010
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
NDD03N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
