رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMC1300R2
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMC1300R2-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 2.2A, 1.8A 2W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12858456
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMC1300R2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.2A, 1.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
NTMC13
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
ONSONSNTMC1300R2
NTMC1300R2OS
2156-NTMC1300R2-ONTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
NVMFD5C672NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
NTLGD3502NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN