رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMD6P02R2G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMD6P02R2G-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
3322 قطع جديدة أصلية في المخزون
12856287
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMD6P02R2G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
750mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
NTMD6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-NTMD6P02R2G-OS
NTMD6P02R2GOS-DG
NTMD6P02R2GOSTR
NTMD6P02R2GOS
NTMD6P02R2GOSCT
ONSONSNTMD6P02R2G
NTMD6P02R2GOSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFD5C668NLWFT1G
MOSFET 60V S08FL DUAL
NTND31225CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6XLLGA
NDC7003P
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
