رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFD4C85NT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFD4C85NT3G-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
المخزون:
12860040
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFD4C85NT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.4A, 29.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1960pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.13W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-DFN (5x6)
رقم المنتج الأساسي
NTMFD4
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSC0921NDIATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
13276
DiGi رقم الجزء
BSC0921NDIATMA1-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTND31015NZTAG
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A 6XLLGA
NTLJD3119CTAG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
NTMD6N02R2
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
